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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제1호
발행연도
1995.3
수록면
104 - 108 (5page)

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Hall 효과 측정을 이용하여 As^+이 주입된 단결정 실리콘의 열처리 조건에 따른 활성화 과정을 연구하였다. 주입된 이온의 농도 분포는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)와 SUPREM Ⅳ 모의 실험으로 조사하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 활성층의 전자 면 농도 증가가 뚜렷이 나타났으며, Hall 이동도의 온도 의존성 측정으로 주입된 도우즈에 따라 이온 주입층의 활성화에 필요한 열처리 온도가 달라져야함을 알 수 있었다. 그리고, 접합 손실전류의 감소는 800℃ (30분)의 열처리에서 현저하게 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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