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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.11
- 수록면
- 320 - 327 (8page)
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원격 플라즈마 화학기상증착법(Remote Plasma Enhanced-Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition)에 의해 활성화된 질소 원자를 사용하여 사파이어 기판의 표면을 저온에서 질화처리한 후 표면의 화학적 조성을 조사하였다. 질화처리에 의해 주로 표면에 형성된 물질은 AlN임을 X-선 광전자 분광방법(X-ray photoelectron spectroscopy: XPS)을 사용하여 확인하였다. 또한 플라즈마의 RF 출력, 반응 온도 및 시간에 따라서 기판의 Al과 반응한 질소의 상대적인 양과, 표면 형태를 XPS와 AFM(atomic force microscopy)을 사용하여 조사하였다. 플라즈마에 의해서 활성화되어 기판과 반응한 질소의 양은 RF 출력에 따라 증가하지만 Al과 반응하여 AlN을 형성시킨 질소는 RF 출력에 따라 증가한 후 일정하게 됨을 관찰하였다. 그러나 질화 처리 온도와 시간의 증가에 따른 AlN의 상대적인 양은 비교적 무관함을 관찰하였다. 또한 Ar 스퍼터링을 통한 XPS의 depth profile을 관찰한 결과 질화층은 깊이에 따라 3개의 다른 층으로 이루어져 있음을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 토의
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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