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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
390 - 396 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1998

헬리콘 플라즈마로부터 중성입자 흐름의 생성 및 이를 이용한 실리콘의 건식식각
정석재 ,  양호식 ,  조성민 Applied Science and Convergence Technology 1998.11 학술저널
헬리콘 고밀도 플라즈마로부터 라디칼 빔의 추출 및 이를 이용한 실리콘의 건식식각
정석재 ,  양호식 ,  조성민 한국진공학회 학술발표회초록집 1998.07 학술대회자료

초록· 키워드

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헬리콘(Helicon) 플라즈마로부터 중성입자 흐름을 생성하여 높은 에너지의 이온에 의한 기판의 물리적, 전기적 손상을 방지할 수 있는 실리콘 식각공정이 연구되었다. 기판의 하부에 영구자석을 설치하여 cusp 모양의 자계를 형성하므로써 이온 및 전자를 기판으로부터 제거되도록 하였고 이러한 방법으로 완전히 제거되지 않는 이온의 제거를 위해서 기판 하부에 양의 전압을 가하여 자계나 전계에 영향을 받지 않는 중성입자 흐름을 얻을 수 있도록 하였다. 발생시킨 자계 및 전계에 의해 기판 상부에서의 전자밀도는 자계나 전계가 가해지지 않은 경우에 비해 약 1/1,000 정도로 낮아졌으며, 이온밀도 또한 약 1/10 정도로 감소하였다. 이러한 공정을 통해 얻어진 실리콘의 식각속도는 Cl₂와 10%의 SF_6를 혼합하여 사용할 때 8.5×10^(-4) Torr의 압력에서 약 100 Å/min 이하로 매우 낮았으며 실리콘의 식각이 비등방성을 가지며 진행될 수 있음이 보여졌다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치 및 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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