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김건웅 (국립-한경대학교) 백승재 (국립-한경대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2019년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2019.11
수록면
169 - 172 (4page)

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Tunneling probabilities and tunneling currents with various energy band profiles are calculated. which gives a concept design for device scaling of charge trap flash (CTF). We have assumed five different energy band profiles based on compositional variations of SiO₂ and Si₃N₄ that is most favorable material combination as a tunneling dielectric in flash memories. As a result, we found that monotonic compositional grading with SiO₂ on the channel side gives the largest on/off ratio in tunneling current, in other words, the fastest program/erase operation with longest charge retention can be realized using that band profiling on the tunnel layer of CTF.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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