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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 255 - 262 (8page)
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다결정 실리콘으로 구성된 광 검출기에서 소자의 성능은 결정립계(grain boundary)의 전도 특성에 의존하게 된다. 본 연구에서는 제조된 다결정 실리콘의 후속 공정에 따른 금속-다결정 실리콘-금속(MSM) 소자의 전기적 특성을 비교하여 결정립계의 영향을 조사하였다. 실험 결과를 통해 보완된 결정립계 모형인 Si 결정립/계면/SiOx 비정질/계면/Si 결정립 구조를 제안하였다. 이는 MOS 소자의 SiO2-Si 시스템과 유사하다. 두 계면은 수소 이온 주입공정을 통해 수소로 부동태화할 수 있었다. 결정립계에 존재하는 SiOx 비정질 박막은 MSM 광 검출기에서 암전류를 감소시키고, 광전류를 증가시키는 역할을 하게 되어 광응답 특성을 개선시키는 효과를 가져왔다.
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