Defect vs. Nanocrystal luminescence Emitted in Si-Implanted SiO2 Layer

J. Y. Jeong ,  S. Im ,  M. S. Oh 외 4명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

The Origin of Photoluminescence in Ge-Implanted SiO2 Layer

H. B. Kim ,  K. H. Chae ,  C. N. Whang 외 4명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향

신창호 ,  강대석 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Fabrication and Nanoscale Luminescence Characteristics for Organic Nanocrystals

이호진 ,  김석호 ,  최진호 외 3명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2017 .10

이온주입시킨 Si-SiO2 계면에서의 전자상태 계산 ( Self-consistent Calculation of Electronic States at ion-implanted Si-SiO2 interface )

김충원 ,  공준진 ,  박성호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동

김태훈 ,  류명관 ,  김진원 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1995 .01

다결정 Si/SiO₂ ∥ Si 적층구조에서 SiO₂층의 두께에 따른 유전특성의 변화

송오성 ,  이영민 ,  이진우

한국표면공학회지

2000 .08

Capacitance-Voltage Characteristics in the Double Layers of SiO₂/Si₃N₄

洪能杓 ,  洪眞雄

전기학회논문지 C

2003 .10

Prevention of degradation in poly $Si_{1-x}Ge_x$/high K structure by controlling Ge content in poly $Si_{1-x}Ge_x$ films

Ko ,  D.H. ,  Kang 외 13명

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2002 .01

PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )

김성수 ,  박상준 ,  최시영

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

SiO₂/Si₃N₄ 2중층 박막의 유전특성

고길영 ,  김균식 ,  홍능표 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2003 .07

SOLID STATE TEACTIONS IN THE $Co/Si_{1-X}Ge_X$ SYSTEM

Lin ,  Wen-Tai ,  Chen 외 3명

Fabrication and Characterization of Advanced Materials

1995 .01

GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy )

박상준 ,  박명기 ,  최시영

전자공학회논문지

1989 .11

Si-SiO₂系의 問題点과 研究動向

成英權

전기의세계

1985 .06

Effect of a SiO₂ Anti-reflection Layer on the Optoelectronic Properties of Germanium Metal-semiconductor-metal Photodetectors

Munkhsaikhan Zumuukho ,  ol ,  Zaga 외 7명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2017 .08

Si와 Ge의 초정밀 절삭특성

원종호 ,  박상진 ,  안병민 외 4명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2000 .05

Ge 나노입자가 형성된 MOS 캐패시터의 캐패시턴스와 전압 특성

박병준 ,  최삼종 ,  조경아 외 1명

전기전자학회논문지

2006 .12

Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도

강대석 ,  신창호 ,  박재우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

Si 기판에서의 광소자 응용을 위한 Ge 박막의 Transfer 기술개발

안창근 ,  조원주 ,  임기주 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

$SiO_2$위에 MBE(Moleculat Beam Epitaxy)로 증착한 비정질 ${Si_{1-x}}{Ge_x)$박막의 결정화거동

황장원 ,  황장원 ,  김진원 외 3명

한국재료학회지

1994 .01