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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조호진 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과) 홍석경 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과) 조해석 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과) 양홍근 (삼성전자 반도체 특수사업무 기술개발팀) 김형준 (서울대학교 공과대학 무기재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제5권 제5호
발행연도
1995.1
수록면
544 - 551 (8page)

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Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 Si, SiO$_{2}$/Si 가판의에 전도성 RuO$_{2}$ 박막을 증착하고, 공정변수가 증착되는 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 대부분의증착조건에서 주상정 구조의 단일상 RuO$_{2}$ 박막이 증착되었으며, 부착원자들의 표면이동도가 낮은 영역에서는 (101) 우선배향성이 관찰되었고, 높은 영역에서는 (200) 우선배향성이 관찰되었다. 증착조건에 따른 박막의 우선배향성 변화는 박막의 결정구조와연관지어 논의되었다. 기판온도 35$0^{\circ}C$에서 증착된 박막은 치밀하고 표면이 평탄하며, 비저항이 90㏁-cm 정도로 낮아서 고유전율 박막의 전극물질로 이용하기에 적합하였다. 45$0^{\circ}C$ 이상의 기판온도에서 증착된 박막은 46㏁-cm 정도로 매우 낮은 비저항을 갖니만 표면이 거칠었다.

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