A Study of Etch Characteristics of ITO Thin Film using the Plasma Diagnostic Tools

Park, J.Y.; Lee, D.H.; Jeong, C.H.; Kim, H.S.; Kwon, K.H.; Yeom, G.Y.

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저자정보: Park, J.Y. (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University) Lee, D.H. (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University) Jeong, C.H. (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University) Kim, H.S. (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University) Kwon, K.H. (Department of Electronic Engineering, Hanseo University) Yeom, G.Y. (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집

발행연도: 2000.1

수록면: 85 - 87 (3page)

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In this study, high-density plasma etching characteristics of ITO(indium tin oxide) films used for transparent electrodes in display devices have been investigated. The etch characteristics of ITO as a function of $Ar/CH_4$ gas mixtures were analyzed using QMS(quadrupole mass spectrometry), OES(optical emission spectroscopy), and ESP(electrostatic probe). ITO etch rates were increased with the addition of moderate amount of $CH_4$ to Ar due to the increased chemical reaction between $CH_3$ or H and ITO in addition to the physical sputtering of ITO by Ar ion bombardment. However, the addition of excess amount of $CH_4$ decreased the ITO etch rates possibly due to the increased polymer formation on the ITO surface. Also, the measurement data obtained by QMS and OES suggested that $CH_3$ radicals are more activity involved in the etching of ITO compared to H radicals.

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Park, J.Y.

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