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학술저널
저자정보
박영산 (전남대학교 물리학과) 류상완 (전남대학교 물리학과) 유준상 ([주]OE Solutions) 김효진 (한국광기술원[KOPTI]) 김선훈 (한국광기술원[KOPTI]) 김진혁 (전남대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제16권 제10호
발행연도
2006.1
수록면
629 - 632 (4page)

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Electrical characteristics of Pt/Ti/Pt/Au and Pd/Zn/Pd/Au contacts to p-type InGaAs grown on an InP substrate have been characterized as a function of the doping concentration and the annealing temperature. The Pt/Ti/Pt/Au contacts produced the specific contact resistance as low as $2.3{\times}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm^2$, when heat-treated at an annealing temperature of $400^{\circ}C$. Comparison of the Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au contacts showed that the first Pt layer plays an important role in reducing the contact resistivity probably by lowering energy barrier at the metal-semiconductor interface. For the Pd/Zn/Pd/Au contacts, the contact resistivity remained virtually unchanged with increasing annealing temperature. The specific contact resistivity as low as $4.7{\times}10^{-6}{\Omega}{\cdot}cm^2$ was obtained. The results indicate that the Pt/Ti/Pt/Au and Pd/Zn/Pd/Au schemes could be potentially important for the fabrication of InP-based optoelectronic devices, such as photodetector and optical modulator.

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