$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구

박형호; 권광호; 곽병화; 이중환; 이수민; 권오준; 김보우; 성영권

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박형호 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 권광호 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 곽병화 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 이중환 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 이수민 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 권오준 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 김보우 (한국전자통신연구원 반도체연구단) 성영권 (고려대학교 전기공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제2권 제1호

발행연도: 1992.1

수록면: 35 - 42 (8page)

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연구방법

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (4)

1992

CHF₃ / C₂F6 반응성이온 건식식각에 의해 형성되는 실리콘 표면변형의 회복에 관한 연구 (Ⅱ)

박형호 , 권광호 , 곽병화 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 1992.02 학술대회자료

CHF₃ / C₂F6 반응성이온 건식식각에 의해 형성되는 실리콘 표면의 잔류층 및 손상층에 관한 연구 (Ⅰ)

박형호 , 권광호 , 곽병화 외 4명 한국진공학회 학술발표회초록집 1992.02 학술대회자료

$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구

박형호 , 권광호 , 곽병화 외 5명 한국재료학회지 1992.01 학술저널

1991

$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 변형에 관한 연구

박형호 , 권광호 , 곽병화 외 4명 한국재료학회지 1991.01 학술저널

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실릴콘 산화막을 $CHF_3/C_2F_6$ 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상충의 열적 거동을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기 (SIMS)를 사용, 연구하였다. 저항가열을 통한 in-situ 분석에 의해 폴리머 잔류막은 $200^{\circ}C$부터 분해가 시작되고 $400^{\circ}C$ 이상의 가열에서는 graphite 형태의 탄소 결합체를 형성하며 분해됨을 알았다. 질소 분위기하의 급속 열처리를 통해 잔류막의 열분해는 $800^{\circ}C$ 이상에서 완료되고 손상층을 형성하는 침투 불순원소의 기판 외부로의 확산이 관찰되었다.

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