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대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 1991년도 하계종합학술대회 논문집 Vol14. No.1
발행연도
1991.6
수록면
317 - 321 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1993

CHF3/C2F6 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 오염 및 제거에 관한 연구 ( A Study on the Silicon surface and near-surface contamination by CHF3/C2F6 RIE and its removal with thermal treatment and O2 plasma exposure )
권광호 ,  박형호 ,  이수민 외 4명 전자공학회논문지-A 1993.01 학술저널

1992

CHF₃ / C₂F6 플라즈마에 의한 실리콘 표면 잔류막의 특성
권광호 ,  박형호 ,  이수민 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 1992.02 학술저널

1991

CHF3 / C2F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 ( The Effects of Photoresist Layer on the Characteristics of Si-Surface Residue Induced by CHF3 / C2F6 Reactive Ion Eching )
권광호 ,  이수민 ,  이종석 외 6명 대한전자공학회 학술대회 1991.07 학술대회자료
CHF₃/ C₂F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향
권광호 ,  이수민 ,  이종석 외 7명 대한전자공학회 학술대회 1991.06 학술대회자료

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목차

ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

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