Fabrication of the Poly-Si Thin Film Transistor on the Mica Substrate

Lee, Seung-Ryul; Lee, Jin-Ho; Ahn, Byung-Tae

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Lee, Seung-Ryul (Department of Material Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Lee, Jin-Ho (Electronics and Telecommunications Research Institute) Ahn, Byung-Tae (Department of Material Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display

발행연도: 2006.1

수록면: 1,182 - 1,184 (3page)

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A mica has been introduced as a new substrate material for the fabrication of the poly-Si TFTs. A poly-Si film is produced on the mica substrate at $550^{\circ}C$ by the nickel-induced crystallization and the poly-Si TFTs on the mica substrate are successfully fabricated for the first time.

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이 논문의 저자 정보

Lee, Seung-Ryul

소속기관 Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 0

Lee, Jin-Ho

소속기관 Dept. of Display Materials Engineering, Kyung Hee Univ.

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 21 이용수 8

Ahn, Byung-Tae

소속기관 Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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