High temperature poly-Si thin film transistors on a molybdenum substrate

Kim, Do-Young; Gangopadhyay, Utpal; Park, Joong-Hyun; Ko, Jae-Kyung; Yi, Jun-Sin

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저자정보: Kim, Do-Young (New material Lab., School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) Gangopadhyay, Utpal (New material Lab., School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) Park, Joong-Hyun (New material Lab., School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) Ko, Jae-Kyung (New material Lab., School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) Yi, Jun-Sin (New material Lab., School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2002.1

수록면: 523 - 525 (3page)

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The poly-Si thin film can be used in high mobility active matrix liquid-crystal display (AMLCD) and system on panel (SOP). In this paper, poly-Si thin films were grown by novel high temperature process on the molybdenum (Mo) substrate. By applying a high current above 48A on a Mo substrate. We obtained an improved crystalline Si films with the crystallinity over 80%. We exhibit the properties of structural and electrical properties of high temperature poly-Si thin film transistor on the Mo substrates.

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Kim, Do-Young

소속기관 Samsung Advanced Institute of Technology

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 17 이용수 2

Gangopadhyay, Utpal

소속기관 New materials Lab.[BK 21 Lab.] School of Information and Computer Engineering, Sungkyunkwan Universi

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 0

Park, Joong-Hyun

소속기관 New material Lab., School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 3 이용수 0

Ko, Jae-Kyung

소속기관 New material Lab., School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 0

Yi, Jun-Sin

소속기관 School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 23 이용수 3

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