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저자정보
Kang, Soo-Hee (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Department of Electrical and Electronics Engineering, Yonsei University) Kim, Yong-Hoon (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Han, Jin-Woo (Department of Electrical and Electronics Engineering, Yonsei University) Seo, Dae-Shik (Department of Electrical and Electronics Engineering, Yonsei University) Han, Jeong-In (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
1,162 - 1,165 (4page)

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In this paper, the characteristics of polycrystalline silicon thin-film transistors (poly- Si TFTs) fabricated on polymer substrates are investigated. The a-Si films was laser annealed by using a XeCl excimer laser and a four-mask-processed poly-Si TFT was fabricated with fully self-aligned top gate structure. The fabricated nMOS TFT showed field-effect mobility of ${\sim}30\;cm^2/Vs$, on/off ratio of $10^5$ and threshold voltage of 5 V.

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