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저자정보
조인환 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) 조경일 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) 최준혁 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) 박해웅 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부) 김찬중 (한국원자력연구원 중성자응용연구부) 전병혁 (한국원자력연구원 중성자응용연구부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제27권 제4호
발행연도
2017.1
수록면
216 - 220 (5page)

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The effect of electron beam (EB) irradiation on the electrical properties of Zn-Sn-O (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process was investigated. As the EB dose increased, the saturation mobility of ZTO thin film transistors (TFTs) was found to slightly decrease, and the subthreshold swing and on/off ratio degenerated. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the O 1s core level showed that the relative area of oxygen vacancies ($V_O$) increased from 10.35 to 12.56 % as the EB dose increased from 0 to $7.5{\times}10^{16}electrons/cm^2$. Also, spectroscopic ellipsometry analysis showed that the optical band gap varied from 3.53 to 3.96 eV with increasing EB dose. From the results of the electrical property and XPS analyses of the ZTO TFTs, it was found that the electrical characteristic of the ZTO thin films changed from semiconductor to conductor with increasing EB dose. It is thought that the electrical property change is due to the formation of defect sites like oxygen vacancies.
#Zn-Sn-O thin film #oxide semiconductor #electron beam irradiation #electrical property #oxygen vacancy #sol-gel

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참고문헌 (17)

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E. Fortunato / 2012 / Adv. Mater 24:2945 google schola K. Nomura / 2004 / Nature 432:488 google schola S. Baruah / 2011 / Sci. Technol. Adv. Mater 12:013004 google schola A. Janotti / 2007 / Phys. Rev. B : Condens. Matter 76:165202 google schola E. M. C. Fortunato / 2008 / Appl. Phys. Lett 92:222103 google schola

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