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자료유형
학술저널
저자정보
김도윤 (연세대학교 신소재공학과) 김인수 (연세대학교 신소재공학과) 최세영 (연세대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제19권 제2호
발행연도
2009.1
수록면
102 - 107 (6page)

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The effect of annealing under argon atmosphere on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films deposited at room temperature and $300^{\circ}C$ using Radio Frequency (RF) magnetron sputtering has been investigated. For the films deposited at room temperature, there was not any increase in hydrogen content and optical band gap of the films, and as a result, quality of the films was not improved under any annealing conditions. For the films deposited at $300^{\circ}C$, on the other hand, significant increases in hydrogen content and optical band gap were observed, whereas values of microstructure parameter and dark conductivity were decreased upon annealing below $300^{\circ}C$. In this study, it was proposed that the Si-HX bonding strength is closely related to deposition temperature. Also, the improvement in optical, electrical and structural properties of the films deposited at $300^{\circ}C$ was originated from thermally activated hydrogen bubbles, which were initially trapped at microvoids in the films.
#hydrogenated amorphous silicon #hydrogen bubbles #microvoids #annealing #deposition temperature

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