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자료유형
학술저널
저자정보
문형모 (순천대학교 재료ㆍ금속공학과) 김상섭 (전남대학교 신소재공학부 광ㆍ전자박막연구실)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제5호
발행연도
2003.1
수록면
303 - 308 (6page)

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Amorphous carbon nitride films deposited on Si(001) substrates by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique using CH$_4$and $N_2$as reaction gases were thermally annealed at various temperatures under$ N_2$atmosphere, then their physical properties were investigated particularly as a function of annealing temperature. Above $600^{\circ}C$ a small amount of crystalline $\beta$-$C_3$$N_4$ phase evolves, while the film surface becomes very rough due to agglomeration of fine grains on the surface. As the annealing temperature increases, both the hardness and the $sp^3$ bonding nature are enhanced. In contrast to our expectation, higher annealing temperature results in a relatively higher friction mainly due to big increase in roughness at that temperature.
#carbon nitride film #PECVD #amorphous film #thermal annealing #tribology

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