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Lee, Haechang (Department of Electronics Engineering, Gachon University) Zhao, Zhenqian (Department of Electronics Engineering, Gachon University) Kwon, Sang Jik (Department of Electronics Engineering, Gachon University) Cho, Eou Sik (Department of Electronics Engineering, Gachon University)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제18권 제4호
발행연도
2019.1
수록면
6 - 11 (6page)

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For a wider application of laser direct patterning, selective laser ablation of indium tin oxide (ITO) film on transparent oxide semiconductor (TOS) thin film was carried out using a diode-pumped Q-switched $Nd:YVO_4$ laser at a wavelength of 1064 nm. In case of the laser ablation of ITO on indium gallium zinc oxide (IGZO) film, both of ITO and IGZO films were fully etched for all the conditions of the laser beams even though IGZO monolayer was not ablated at the same laser beam condition. On the contrary, in case of the laser ablation of ITO on zinc oxide (ZnO) film, it was possible to etch ITO selectively with a slight damage on ZnO layer. The selective laser ablation is expected to be due to the different coefficient of thermal expansion (CTE) between ITO and ZnO.

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