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저자정보
이승용 (가천대학교 신기술부품소재연구센터) 윤여탁 (가천대학교 신기술부품소재연구센터) 조의식 (가천대학교) 권상직 (가천대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제3호
발행연도
2017.3
수록면
162 - 169 (8page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.3.162

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인듐 주석 산화물(ITO)은 낮은 면저항과 가시광선 영역에서 높은 투과율로 인해 투명전극의 재료로서 중요한 역할을 해오고 있다. 그러나 대형 디스플레이에서 ITO 투명전극의 면저항은 요구조건을 충족시키지 못한다. 이를 보완하기 위한 투명전극 중 하나는 ITO/Ag/ITO 다층막을 이용하는 것인데, ITO/Ag/ITO 다층막은 ITO 단일막과 같은 두께에서 더 낮은 면저항을 갖는다. ITO/Ag/ITO 다층막 실험에 앞서, ITO 단일막과 Ag 단일막의 두께에 따른 최적 조건이 필요했고 ITO 단일막과 Ag 단일막의 두께를 변화시켜가며 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 그러나 단일막으로서 최적의 조건을 갖는 조건일지라도 다층막에 적용할 경우 다른 현상이 나타났다. 따라서, ITO/Ag/ITO 다층막에 대한 최적의 조건을 구하기 위해 ITO 층과 Ag 층의 두께 값을 다양하게 변화시켜 ITO/Ag/ITO 다층막의 두께 조건을 찾아내었다. 결과적으로, ITO 층의 두께가 586 A 이고 Ag 층의 두께가 10nm일 때 ITO/Ag/ITO 다층막은 87.65 %의 높은 투과율과 5.5 Ω/□의 낮은 면저항으로 가장 최적의 결과를 나타내었다.

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