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자료유형
학술저널
저자정보
이장희 (안동대학교 신소재공학부) 양승택 (하이닉스 반도체 PKG 연구소) 서민석 (하이닉스 반도체 PKG 연구소) 정관호 (하이닉스 반도체 PKG 연구소) 변광유 (하이닉스 반도체 PKG 연구소) 박영배 (안동대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제2호
발행연도
2007.1
수록면
91 - 95 (5page)

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Electromigration characteristics of Sn-3.5Ag flip chip solder bump were analyzed using flip chip packages which consisted of Si chip substrate and electroplated Cu under bump metallurgy. Electromigration test temperatures and current densities peformed were $140{\sim}175^{\circ}C\;and\;6{\sim}9{\times}10^4A/cm^2$ respectively. Mean time to failure of solder bump decreased as the temperature and current density increased. The activation energy and current density exponent were found to be 1.63 eV and 4.6, respectively. The activation energy and current density exponent have very high value because of high Joule heating. Evolution of Cu-Sn intermetallic compound was also investigated with respect to current density conditions.
#Electromigration #Joule heating #flip chip bonding #Pb-free #Sn-3 #5Ag

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