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학술대회자료
저자정보
박성현 (동명대학교) 이현섭 (동아대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2021년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2021.5
수록면
169 - 169 (1page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2021

전해 이온화를 이용한 구리의 Abrasive-free CMP 연구
박성현 ,  이현섭 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2021.05 학술대회자료
전해 이온화를 이용한 구리의 Abrasive-free CMP에서 과산화수소 함량의 영향
박성현 ,  이현섭 한국트라이볼로지학회 학술대회 2021.04 학술대회자료

초록· 키워드

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화학기계적연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정은 반도체 기판 평탄화(Planarization)를 위해 표면화학반응과 연마 입자에 의한 기계적 재료 제거를 동시에 활용하는 가공기술이다. 일반적으로는 연마 입자를 활용한 평탄화 방식을 사용하고 있으나, 연마 입자는 가공 효율을 높이는 대신 스크래치(Scratch)의 발생과 디싱(Dishing) 현상 등의 원인이 되기도 한다. 따라서 연구자들은 슬러리 내에 연마 입자가 없는 Abrasive-free CMP를 제안했다. 그러나 낮은 재료제거율을 보상하기 위해 용액 내 화학적 구성 요소들의 함량을 높여야 하는 단점이 있다. 본 연구에서는 구리의 Abrasive-free CMP에서 전해 이온화를 통해 화학 반응 ... 전체 초록 보기
#Chemical mechanical polishing #Abrasive-free #Copper #Electrolytic ionization

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