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This study is for the development of high temperature ALD SiO₂ film process, optimized for gap-fill process in manufacturing memory products, using a space-divided PE-ALD system equipped with an independent control dual plasma system and orbital moving unit. Space divided PE-ALD System has high productivity, and various applications can be applied according to Top Lid Design. But space divided ALD system has a limitation to realize concentric deposition map due to process influence due to disk rotation. In order to solve this problem, we developed an orbit rotation moving unit in which disk and wafer. Also we used Independent dual plasma system to enhance thin film properties. Improve productivity and film density for gap-fill process by having deposition and surface treatment in one cycle. Optimize deposition process for gap-fill patterns with different depths by utilizing our independently controlled dual plasma system to insert N₂ and/or He plasma during surface treatment, Provide void-free gap-fill process for high aspect ratio gap-fill patterns (up to 50:1) with convex curvature by adjusting deposition and surface treatment recipe in a cycle.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References
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J.W. Lee, H.B. Kim, K.H. Choi, A Study on the Organic-Inorganic Multilayer Barrier Thin Films Using R2R Low-Temperature Atmospheric- Pressure Atomic Layer Deposition System, J. Korea Inst. Mat. Eng., 13 (2018) 51-58.
D. Bo. Semple, Katie L. Nardi, N. Draeger, Dennis M. Hau., Area-Selective Atomic Layer Deposition Assisted by Self-Assembled Monolayers: A Comparison of Cu, Co, W, and Ru, Chem. Mat., 31, 5 (2019) 1635-1645.
Rizwan Khan. B. Shone, Byeong, G. Ko, J.K. Lee, H.S. Lee, J.Y. Park, Area-Selective Atomic Layer Deposition Using Si Precursors as Inhibitors, Chem. Mat., 30, 21 (2018) 7603-7610.
J.B. Ko, H.I. Yeom, S.H. Park, Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Processed SiO2 Gate Insulating Layer for High Mobility Top-Gate Structured Oxide Thin-Film Transistors, IEEE, 37 (2016) 39-42.
Y.S. Lee, J.H. Han, J.S. Park, Joz. Park, Low temperature SiOx thin film deposited by plasma enhanced atomic layer deposition for thin film encapsulation applications, American. Vac. Soc., 35 (2017) 1116.
D. Bo. Semple, Katie L. Nardi, N. Draeger, Dennis M. Hau., Area-Selective Atomic Layer Deposition Assisted by Self-Assembled Monolayers: A Comparison of Cu, Co, W, and Ru, Chem. Mat., 31, 5 (2019) 1635-1645.
Rizwan Khan. B. Shone, Byeong, G. Ko, J.K. Lee, H.S. Lee, J.Y. Park, Area-Selective Atomic Layer Deposition Using Si Precursors as Inhibitors, Chem. Mat., 30, 21 (2018) 7603-7610.
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