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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
이백주 (한화) 황재순 (한화) 서동원 (한화) 최재욱 (한화)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제53권 제3호
발행연도
2020.6
수록면
124 - 129 (6page)

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This study is for the development of high temperature ALD SiO₂ film process, optimized for gap-fill process in manufacturing memory products, using a space-divided PE-ALD system equipped with an independent control dual plasma system and orbital moving unit. Space divided PE-ALD System has high productivity, and various applications can be applied according to Top Lid Design. But space divided ALD system has a limitation to realize concentric deposition map due to process influence due to disk rotation. In order to solve this problem, we developed an orbit rotation moving unit in which disk and wafer. Also we used Independent dual plasma system to enhance thin film properties. Improve productivity and film density for gap-fill process by having deposition and surface treatment in one cycle. Optimize deposition process for gap-fill patterns with different depths by utilizing our independently controlled dual plasma system to insert N₂ and/or He plasma during surface treatment, Provide void-free gap-fill process for high aspect ratio gap-fill patterns (up to 50:1) with convex curvature by adjusting deposition and surface treatment recipe in a cycle.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (20)

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