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Seungjun Baek (Pusan National University) Hyunjin Ahn (Pusan National University) Hyunsik Ryu (Pusan National University) Ilku Nam (Pusan National University) Deokgi An (RAONTECH) Doo-Hyouk Choi (RAONTECH) Mun-Sub Byun (RAONTECH) Minsu Jeong (RAONTECH) Bo-Eun Kim (RAONTECH) Ockgoo Lee (Pusan National University)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.17 No.1
발행연도
2017.1
수록면
20 - 28 (9page)

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A fully integrated dual-band CMOS power amplifier (PA) is developed for 802.11n WLAN applications using wafer-level package (WLP) technology. This paper presents a detailed design for the optimal impedance of dual-band PA (2 GHz/5 GHz PA) output transformers with low loss, which is provided by using 2:2 and 2:1 output transformers for the 2 GHz PA and the 5 GHz PA, respectively. In addition, several design issues in the dual-band PA design using WLP technology are addressed, and a design method is proposed. All considerations for the design of dual-band WLP PA are fully reflected in the design procedure. The 2 GHz WLP CMOS PA produces a saturated power of 26.3 dBm with a peak power-added efficiency (PAE) of 32.9%. The 5 GHz WLP CMOS PA produces a saturated power of 24.7 dBm with a PAE of 22.2%. The PA is tested using an 802.11n signal, which satisfies the stringent error vector magnitude (EVM) and mask requirements. It achieved an EVM of -28 dB at an output power of 19.5 dBm with a PAE of 13.1% at 2.45 GHz and an EVM of -28 dB at an output power of 18.1 dBm with a PAE of 8.9% at 5.8 GHz.
#CMOS #Integrated Circuit #Power Amplifier #Transformer #WLAN

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. OUTPUT TRANSFORMER DESIGN FOR THE DUAL-BAND CMOS PA
Ⅲ. WLAN DUAL-BAND WLP PA DESIGN
Ⅳ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
S. C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communication. Boston, MA: Artech House, 1999, pp. 246-248. X. Fan and Q. Han, Reliability challenges and design considerations for wafer-level packages, in Proceedings of International Conference on Electronic Packaging Technology & High Density Packaging (ICEPT-HDP), Shanghai, China, 2008, pp. 1-6. J. J. Reche and D. H. Kim, Wafer level packaging having bump-on-polymer structure, Microelectronics Reliability, vol. 43, no. 6, pp. 879-894, 2003. B. Rogers, C. Scanlan, and T. Olson, Implementation of a fully molded fan-out packaging technology, in Proceedings of 10th International Wafer-Level Packaging Conference (IWLPC), San Jose, CA, 2013, pp. 1-6. R. Kumar, T. Krishnaswamy, G. Rajendran, D. Sahu, A. Sivadas, M. Nandigam, et al, A fully integrated 2 × 2 b/g and 1 × 2 a-band MIMO WLAN SoC in 45nm CMOS for multi-radio IC, in Proceedings of IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), San Francisco, CA, 2013, pp. 328-329.

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