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최창익 (한양대학교) 박재찬 (한양대학교) 박태주 (한양대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2021년도 한국표면공학회 추계학술대회
발행연도
2021.12
수록면
60 - 60 (1page)

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High-K 물질 중 ZrO₂는 높은 유전율과 넓은 밴드갭, 뛰어난 열적 안정성 및 Si과의 우수한 계면 특성으로 인해 현재 게이트 절연막 및 DRAM 커패시터 물질로서 활용되고 있다. ZrO₂ 박막을 제작하기 위한 증착법 중 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)은 원자수준 단위로 두께조절이 가능하며, 단차 피복성이 우수하고, 박막 내 불순물이 적다는 장점을 가지고 있다. 고품질의 ZrO₂을 제작하기 위해서는, 플라즈마 원자층 증착법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PEALD)이 중요한 역할을 하게 되는데, 기존 ALD와 비교할 경우 PEALD로 제작한 박막의 경우 높은 반응성으로 인해 박막의 밀도와 조성이 우수하며, 저온증착이 가능하다는 장점을 가지고 있다. PEALD는 direct 플라즈마 방식과 remote 플라즈마 방식 두가지로 나눌 수 있으며, 일반적으로 direct 플라즈마로 ... 전체 초록 보기

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