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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 115 - 115 (1page)
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최근 기존의 포토리소그래피를 대체하기 위한 패터닝 방법으로 extreme ultraviolet lithography (EUVL) 등 많은 연구가 이루어지고 있다. 그러나 EUV light source의 낮은 에너지로 인해 EUV Resist는 기존 ArF Resist에 비해 얇은 thickness를 가진다. 또한 낮은 etch resistance 때문에 식각시 radiation damage에 취약하며 etch selectivity가 낮은 문제점을 가지고 있다.
본 연구에서는 hardmask로 쓰이는 SiO₂, Si₃N₄ 물질을 CF₄ 가스를 이용하여 neutral beam etching (NBE)과 ion beam etching (IBE)을 진행했을 때 EUV Resist에 가해지는 radiation damage를 비교해보았다. 각각의 방식의 식각 특성을 SEM을 통해 확인하였고, line edge roughness (LER)과 critical dimensi ... 전체 초록 보기
본 연구에서는 hardmask로 쓰이는 SiO₂, Si₃N₄ 물질을 CF₄ 가스를 이용하여 neutral beam etching (NBE)과 ion beam etching (IBE)을 진행했을 때 EUV Resist에 가해지는 radiation damage를 비교해보았다. 각각의 방식의 식각 특성을 SEM을 통해 확인하였고, line edge roughness (LER)과 critical dimensi ... 전체 초록 보기
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