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김지은 (한양대학교 자연과학대학 나노융합과학과) 김정환 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) 조한구 (한양대학교 나노과학기술연구소) 안진호 (한양대학교 자연과학대학 나노융합과학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제14권 제3호
발행연도
2015.1
수록면
7 - 11 (5page)

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In order to protect the patterned mask from contamination during lithography process, pellicle has become a critical component for Extreme Ultraviolet (EUV) lithography technology. According to EUV pellicle requirements, the pellicle should have high EUV transmittance and robust mechanical property. In this study, silicon nitride, which is well-known for its remarkable mechanical property, was used as a pellicle membrane material to achieve high EUV transmittance. Since long silicon wet etching process time aggravates notching effect causing stress concentration on the edge or corner of etched structure, the remaining membrane is prone to fracture at the end of etch process. To overcome this notching effect and attain high transmittance, we began preparing a rather thick (200 nm) $SiN_x$ membrane which can be stably manufactured and was thinned into 43 nm thickness with HF wet etching process. The measured EUV transmittance shows similar values to the simulated result. Therefore, the result shows possibilities of HF thinning processes for $SiN_x$ EUV pellicle fabrication.
#EUV lithography #Pellicle #Wet etching #$SiN_x$ membrane

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