온도에 따른 4H-SiC에 기반한 SBD, PiN 특성 비교

서지호; 조슬기; 이영재; 안재인; 민성지; 이대석; 구상모; 오종민

doi:https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.362

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저자정보: 서지호 (광운대학교) 조슬기 (광운대학교 전자재료공학과) 이영재 (광운대학교) 안재인 (광운대학교 전자재료공학과) 민성지 (광운대학교) 이대석 (광운대학교) 구상모 (광운대학교) 오종민 (광운대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제6호

발행연도: 2018.9

수록면: 362 - 366 (5page)

DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.362

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Silicon carbide is widely used in power semiconductor devices owing to its high energy gap. In particular,Schottky barrier diode (SBD) and PiN diodes fabricated on 4H-SiC wafers are being applied to various fields such aspower devices. The characteristics of SBD and PiN diodes can be extracted from C-V and I-V characteristics. Themeasured Schottky barrier height (SBH) was 1.23 eV in the temperature range of 298~473 K, and the average idealfactor is 1.17. The results show that the device with the Schottky contact is characterized by the theory of thermalemission. As the temperature increases, the parameters are changed and the Vth is shifted to lower voltages.

#Sillicon caribide #Power devices #PiN #SBD #Barrier height #Ideality factor

참고문헌 (7)

참고문헌 신청

T. Kimoto / 2014 / Fundamentals of Silicon Carbide Technology / John Wiley & Sons :1~6

B. J. Baliga / 2005 / Silicon Carbide Power Devices / World Scientific Publishing Co., Pvt. Ltd :16

K. M Geib / 1990 / J. Appl. Phys. 68:2796

R. J. Trew / 1997 / Phys. Status Solidi A 162:409

S. M. Sze / 1981 / Physics of Semiconductor Devices / Wiley :375

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