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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.6
- 수록면
- 233 - 238 (6page)
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본 연구에서는 RF 스퍼터를 이용하여 SiC 기판위에 AlN막을 증착하고 급속 열처리 (RTA) 공정의 온도에 따른 AlN/4H-SiC 구조의 전기적, 재료적 특성에 대한 영향을 분석하였다. 400도에서 RTA 공정을 진행한 Ni/AlN/4H-SiC SBD 소자의 온/오프 비율은 RTA 공정 전 그리고 600도에서 RTA 공정을 한 소자에 비해 약 10배정도 높은 값을 가졌다. 또한 오제이 전자현미경을 통한 원자성분 분석을 통해 증착한 AlN 층내의 존재하는 산소의 양이 후열 처리 조건에 따라 변화함을 확인하였고 소자의 온/오프 비율 그리고 온-저항 등 소자의 성능에 영향을 주는 것을 분석하였다. 추가적으로, 제작한 소자의 노출된 음향 주파수에 따른 전기적 특성변화를 분석하였다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작 및 성분분석
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
F. Jiang / 2007 / The growth and properties of ZnO film on Si (111) substrate with an AlN buffer by AP-MOCVD / J. Lumin 123:905~907
C. M. Lin / 2013 / Surface acoustic wave devices on AlN/3C-SiC/Si multilayer structures / J. Micromechanics Microengineering 23:25019
Y. Wang / 2020 / Acoustofluidics along inclined surfaces based on AlN/Si Rayleigh surface acoustic waves / Sensors and Actuators A: Physical 306:111967
E. Ledesma / 2019 / AlN Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer Array Monolithically Fabricated on Top of Pre-Processed CMOS Substrates / 2019 20th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems & Eurosensors 33:655~658
L. Vergara / 2004 / Influence of oxygen and argon on the crystal quality and piezoelectric response of AlN sputtered thin films / Diam. Relat. Mater 13:839~842
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