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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.9
- 수록면
- 367 - 371 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.367
이용수
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1,200 V class junction barrier schottky (JBS) diodes and schottky barrier diodes (SBD) were simultaneouslyfabricated on the same 4H-SiC wafer. The resulting diodes were characterized at temperatures from room temperatureto 473 K and subsequently compared in terms of their respective I-V characteristics. The parameters deduced from theobserved I-V measurements, including ideality factor and series resistance, indicate that, as the temperature increases, thethreshold voltage decreases whereas the ideality factor and barrier height increase. As JBS diodes have both Schottkyand PN junction structures, the proper depletion layer thickness, Ron, and electron mobility values must be determinedin order to produce diodes with an effective barrier height. The comparison results showed that the JBS diodes exhibita larger effective barrier height compared to the SBDs.
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