β -Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Near-Zero Turn-on Voltage and Breakdown Voltage over 3.6 kV

조규준; 장우진; 이훈기; Jae-Kyoung Mun

doi:10.1007/s42341-024-00529-0

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자료유형: 학술저널

저자정보: 조규준 (한국전자통신연구원) 장우진 (한국전자통신연구원) 이훈기 (한국전자통신연구원) Jae-Kyoung Mun (ETRI)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials Vol.25 No.3

발행연도: 2024.6

수록면: 365 - 369 (5page)

DOI: 10.1007/s42341-024-00529-0

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Lateral Schottky barrier diodes (SBD) were fabricated on a molecular beam epitaxy (MBE) grown, Si-doped β -Ga2O3 wafer measuring 1 cm by 1.5 cm. These devices featured varying anode to cathode distances and included anode connected fi eld plate structures. A device with a 25 μm anode to cathode spacing exhibited a high breakdown voltage exceeding 3.6 kV. A smaller device with a 10 μm anode to cathode spacing demonstrated a R on,sp (specifi c on resistance) of 0.1508 Ω·cm 2 and a power fi gure of merit of 18.87 MW/cm 2. The incorporation of titanium, characterized by a relatively low work function, as the Schottky contact enabled the achievement of a very low turn-on voltage and a sub-60 mV/dec subthreshold swing.

#β-Ga2O3 #Schottky barrier diode #Turn-on voltage #Schottky barrier #Breakdown voltage #Field plate

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