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학술저널
저자정보
이원준 (동의대학교) 박미선 (동의대학교) 이원재 (동의대학교) 김일수 (동의대학교) 최영준 ((주)루미지엔테크) 이혜용 ((주)루미지엔테크)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제6호
발행연도
2018.9
수록면
386 - 391 (6page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.386

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An epitaxial GaN layer was grown on a cone-shape-patterned sapphire substrate (PSS) (Sample A) and anAlN-buffered PSS (Sample B) with two growth steps under the same process conditions by employing the hydride vaporphase epitaxy (HVPE) method. We have investigated the characteristics of the GaN layer grown on two kinds ofsubstrates at each growth step. The cross-sectional SEM image of the GaN layer grown on the two types of substratesshowed growth states of GaN layers formed during the 1st and 2nd growth steps with different growth durations. Dislocation density was obtained by calculation using the FWHM value of the rocking curve for (002) and (102). SampleA showed 2.62+08E and 6.66+08E and sample B exhibited 5.74+07E and 1.65+08E for two different planes. The redshift was observed is photoluminescence (PL) analysis and Raman spectroscopy results. GaN layers grown onAlN-buffered PSS exhibited better optical and crystallographic properties than GaN layers grown on PSS.

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