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본 연구에서는 패턴화된 사파이어 기판 위에 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy System) 법에 의해 50 nm 두께의 AlN thin film을 증착한 뒤, 에피층 구조가 M O CVD에서 성장되었다. AlN 버퍼층 박막의 표면형상이 SEM, AFM에의해서, 에피층 구조의 GaN 박막의 결정성은 X-선 rocking curve에 의해 분석되었다. 패턴화된 사파이어 기판 위에 증착된GaN 박막은, 사파이어 기판 위에 증착된 GaN 박막의 경우보다 XRD 피크 세기가 다소 높은 결과를 나타냈다. AFM 표면형상에서 사파이어 기판 위에 AlN 박막이 증착된 경우, GaN 에피층 박막의 p-side 쪽의 v-pit 밀도가 상대적으로 낮았으며, 결함밀도가 낮게 관찰되었다. 또한, AlN 버퍼층이 증착된 에피층 구조는 AlN 박막이 없는 에피층의 광출력에 비해 높은값을 나타냈다.
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T. Mukai / 2003 / Recent progress of nitride-based light emitting devices / Phys. Status Solidi A 200:52
A. Khan / 2008 / Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides / Nat. Photonics 2:77
H. Hirayama / 2009 / 222~282 nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on highquality AlN on sapphire / Phys. Status Solidi A 206:1176
Y. Liao / 2011 / AlGaN based deep ultraviolet light emitting diodes with high internal quantum efficiency grown by molecular beam epitaxy / Appl. Phys. Lett 98:081110
J. Yan / 2015 / AlGaN-based deep-ultraviolet lightemitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE / J. Cryst. Growth 414:254
A. Khan / 2008 / Ultraviolet light-emitting diodes based on group three nitrides / Nat. Photonics 2:77
H. Hirayama / 2009 / 222~282 nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on highquality AlN on sapphire / Phys. Status Solidi A 206:1176
Y. Liao / 2011 / AlGaN based deep ultraviolet light emitting diodes with high internal quantum efficiency grown by molecular beam epitaxy / Appl. Phys. Lett 98:081110
J. Yan / 2015 / AlGaN-based deep-ultraviolet lightemitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE / J. Cryst. Growth 414:254
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