Low-Power and High-Frequency 14-nm In0.53Ga0.47As Vertical Rectangular Gate-All-Around MOSFETs

Mohammed Khaouani

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-018-0046-4

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저자정보: Mohammed Khaouani (Aboubekr Belkaid University)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제5호

발행연도: 2018.10

수록면: 337 - 343 (7page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-018-0046-4

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We present a high-mobility 14-nm channel length In 0.53 Ga 0.47 As vertical rectangular gate-all-around (GAA) MOSFET thatwe simulated with Silvaco TCAD in DevEdit 3D and Atlas for using these devices with low power. We obtained a thresholdvoltage V th of 25 mV; therefore, a subthreshold slope (SS) and drain-induced barrier lowering (DIBL) as low as 78and 45 mV/V have been demonstrated, indicating excellent interface quality and stability. A transconductance (g m ) equalto 1.5 ms/μm, high frequency of 900 GHz for a great InGaAs GAA, record high I ON /I OFF of over 2.5 × 10 6 , and minimumI OFF = 0.21 pA/μm have been obtained. These devices can be used for low-power logic and high-frequency applications.

#MOSFETs #GAA #TCAD #DIBL #V th #SS

참고문헌 (3)

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J.Y. Song / 2006 / Design optimization of gate-all-around (GAA) MOSFETs / IEEE Trans. Nanotechnol. 5(3):186~191

V.M. Srivastava / 2011 / Singh, Design and performance analysis of double-gate MOSFET over single-gate MOSFET for RF switch / Microelectronics J 42(3):527~534

S.K. Mohapatra / 2014 / Resolving the bias point for wide range of temperature applications in high-k/metal gate nanoscale DG-MOSFET / Facta Univ. Ser. Electron. Energ. 27(4):613~619

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