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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이현섭 (동아대학교)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants Tribology and Lubricants 제39권 제2호
발행연도
2023.4
수록면
72 - 75 (4page)

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Silicon carbide (SiC) is used as a substrate material for power semiconductors; however, SiC chemical mechanical polishing (CMP) requires considerable time owing to its chemical stability and high hardness. Therefore, researchers are attempting to increase the material removal rate (MRR) of SiC CMP using various methods. Mixed-abrasive CMP (MAS CMP) is one method of increasing the material removal efficiency of CMP by mixing two or more particles. The aim of this research is to study the mathematical modeling of the MRR of MAS CMP of SiC with SiO₂ and TiO₂ particles. With a total particle concentration of 32 wt, using 80-㎚ SiO₂ particles and 25-㎚ TiO₂ particles maximizes the MRR at 8 wt of the TiO₂ particle concentration. In the case of 5 ㎚ TiO₂ particles, the MRR tends to increase with an increase in TiO₂ concentration. In the case of particle size 10-25 ㎚ TiO₂, as the particle concentration increases, the MRR increases to a certain level and then decreases again. TiO₂ particles of 25 ㎚ or more continuously decreased MRR as the particle concentration increased. In the model proposed in this study, the MRR of MAS CMP of SiC increases linearly with changes in pressure and relative speed, which shows the same result as the Preston’s equation. These results can contribute to the future design of MAS; however, the model needs to be verified and improved in future experiments.
#Chemical mechanical polishing(CMP) #Mixed-abrasive slurry(MAS) #Silicon dioxide(SiO₂) #Titanium oxide(TiO₂) #Silicon carbide(SiC)

목차

Abstract
1. 서론
2. MAS CMP 모델링
3. 결과 및 고찰
4. 요약 및 향후 연구 방향
References

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