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저자정보
민경태 (한양대학교) 원승현 (한양대학교) 윤상원 (한양대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2023년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2023.6
수록면
197 - 200 (4page)

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This paper investigates the possibility to reduce parasitic inductance of power modules by adding an additional Lead Frame Terminal. With the advent of WBG semiconductor materials, parasitic components have become more important with the increased switching speed. For this reason, it is critical to reduce parasitic inductance in a power module that is one of the reliable packaging approaches for high-voltage power semiconductor package. This study attempts to reduce parasitic inductance and switching loss by adding more Lead Frame Terminals in power modules.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 파워 모듈 모델
Ⅲ. 기생 인덕턴스 추출
Ⅳ. 인버터 회로 시뮬레이션
Ⅴ. 결론 및 향후 연구 전망
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