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저자정보
Yasushige Mukunoki (Mitsubishi Electric Corporation) Takeshi Horiguchi (Mitsubishi Electric Corporation) Hiroshi Nakatake (Mitsubishi Electric Corporation) Masaki Kuzumoto (Mitsubishi Electric Corporation) Makoto Hagiwara (Tokyo Institute of Technology) Hirofumi Akagi (Tokyo Institute of Technology)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
3,054 - 3,058 (5page)

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This paper describes a physical analysis of gate-source voltage (vGS) dependencies of parasitic capacitors of a discrete Silicon-Carbide (SiC) MOSFET. A new picture of depletion region that induces the parasitic capacitors is proposed. The proposed picture successfully explains the origins and the intrinsic relations of the vGS-dependencies of the parasitic capacitors. Subsequently, the effects of the vGS dependent models are considered via the detailed analysis of the switching waveforms, which clarifies their individual impacts on the switching waveforms.
#Silicon-Carbide (SiC) MOSFET #Parasitic Capacitor #Gate-source voltage dependencies #Switching waveforms

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. PHYSICAL DESCRIPTION
III. THE IMPACTS ON SWITCHING BEHAVIOR
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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