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자료유형
학술저널
저자정보
박형식 (아주대학교) 김도영 (울산과학대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제37권 제2호
발행연도
2024.3
수록면
133 - 140 (8page)

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This study offers a comprehensive evaluation of the role and impact of advanced power semiconductors in solar module systems. Focusing on silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) materials, it highlights their superiority over traditional silicon in enhancing system efficiency and reliability. The research underscores the growing industry demand for high-performance semiconductors, driven by global sustainable energy goals. This shift is crucial for overcoming the limitations of conventional solar technology, paving the way for more efficient, economically viable, and environmentally sustainable solar energy solutions. The findings suggest significant potential for these advanced materials in shaping the future of solar power technology.
#Power semiconductor device #PV panel #MOSFET #IGBT #Bipolar transistor

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