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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.24 No.4
- 발행연도
- 2024.8
- 수록면
- 323 - 331 (9page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2024.24.4.323
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Flash memory is gaining attention due to its scalability, high reliability, and multilevel capabilities. This study investigated the charge trapping characteristics of high permittivity HfO₂ films with Al₂O₃ as a blocking oxide. TAHOS (TiN-Al₂O₃-HfO₂-SiO₂-Si) structure capacitors were fabricated to explore the annealing effects for charge trap flash (CTF) memory device applications. HfO₂, serving as a charge trapping layer, offers the advantage of achieving a wide memory window owing to its high trap density. In this work, various characteristics related to memory cells were examined based on annealing temperature and gas type. Post-deposition annealing (PDA) was conducted from 900 °C to 1050 °C and forming gas annealing (FGA) was performed at 450 °C for 10 minutes using H₂ gas. We analyzed the memory window and flat-band voltage distributions by measuring C-V characteristics. These results suggest that optimal annealing conditions can be helpful to improve memory characteristics in TAHOS stacked flash memories.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE CHARACTERISTICS
III. POST DEPOSITION ANNEALING (PDA)
IV. FORMING GAS ANNEALING (FGA)
V. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (50)
참고문헌 신청
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X. Ja et al., "A novel program scheme to optimize program disturbance in dual-deck 3D NAND flash memory," IEEE Electron Device Lett., vol. 43, no. 7, pp. 1033-1036, 2022.
W. Shim, "Impact of 3D NAND current variation on inference accuracy for in-memory computing," J. Semicond. Technol. Sci., vol. 2, no. 5, pp. 341-345, 2022.
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