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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.11
- 수록면
- 31 - 34 (4page)
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Charge Trap Flash (CTF) memory devices using indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) channels are highly regarded for their superior electrical properties, such as exceptionally high mobility and low leakage current. In this paper, we fabricated an IGZO-based CTF memory device, adopting IGZO as both the charge-trapping layer (CTL) and the channel material. The proposed device demonstrates excellent performance in program and erase operations, along with long retention time. Additionally, we implemented a 2x2 memory array, demonstrating the ability to control memory state updates for individual devices.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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