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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.1
- 수록면
- 770 - 775 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
2001
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Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석
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2016 .01
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MOCVD에 의한 신기능소자 , 제조기술개발 ( Development of New Functional Device by MOCVD )
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2007 .01
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2005 .01
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1999 .01
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In-situ MOCVD Cu/MOCVD TiN 형성 공정에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
이 논문의 저자 정보
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Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
이재승
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,
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외 4명
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1998
.01
Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
Bae Yong Kim
,
Jeong Hoon Yi
,
Doo Hyeb Yoon
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1996
.01
Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석
신희연
,
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2003
.04
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