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MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
발광다이오드는 어떻게 빛을 발하는가?
가전시대
1995 .01
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Photoluminescence analysis of patterned light emitting diode structure
한국재료학회 학술발표대회
2009 .01
LED(발광다이오드) 시장동향 및 향후 전망
광산업정보
2006 .01
GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .01
GaN 발광 다이오드의 전류 포화 지연현상 분석
대한전자공학회 학술대회
2011 .06
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Si(111) 기판 위에 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN의 성장 특성에 관한 TEM 분석
한국표면공학회지
2003 .04
GaN계 발광다이오드에서 3차원 전류분포가 신뢰성특성에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
MOCVD로 성장된 InxGa1-xN MQW 구조의 청색 발광다이오드의 특성 ( Characteristics of a Blue Light Emitting Diode with InxGa1-xN MQW Structure Grown by MOCVD )
전자공학회논문지-D
1998 .08
실리콘 마이크로구조를 이용한 3차원 GaN LED 제작
대한기계학회 춘추학술대회
2018 .12
Epitaxial Growth and Properties of GaN Grown by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
한국재료학회지
2001 .01
PEMBE Growth of GaN Epilayers on MOCVD Grown GaN
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
MOCVD법에 의한 변형된 다중 양자우물 레이저 다이오드의 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characterization of Modified Multi-Quantum Well Laser Diode by MOCVD )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
고효율 GaN-기반 발광다이오드를 위한 고반사도, 저저항 p-반사전극
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .05
Sulfur를 첨가한 In1-xGaxp의 발광 다이오드 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .11
금속 나노입자에 의한 질화갈륨 발광다이오드의 발광효율 향상
한국통신학회 기타 간행물
2009 .12
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