LOW-TEMPERATURE FORMATION OF HIGH-QUALITY ULTRA-THIN GATE OXIDE BY REMOTE PLASMA-ENHANCED CVD ( REMOTE PECVD ) PROCESS

S. S. Kim; G. Lucovsky

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: S. S. Kim G. Lucovsky

저널정보: 대한전자공학회 ICVC : International Conference on VLSI and CAD ICVC : International Conference on VLSI and CAD 제1권

발행연도: 1989.1

수록면: 386 - 389 (4page)

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