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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1990.11
- 수록면
- 292 - 296 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
1991
TaSi2 형성시 단결정 실리콘 기판에 이온주입된BF2의 거동 ( The Behavior of BF2 Implanted Single Crystalline Si Substrates During the Formation of TaSi2 )
조현춘
,
양희준
,
최진석
외 1명
전자공학회논문지-A
1991.10
학술저널
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
전자공학회논문지-A
1991.04
학술저널
단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 $TaSi_2$형성에 미치는 영향
조현춘
,
최진석
,
고철기
외 1명
한국재료학회지
1991.01
학술저널
1990
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성.
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.11
학술대회자료
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
조현춘
,
최진석
,
김동원
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.11
학술대회자료
Composite target으로 sputter시켜 형성된 TaSi2의 특성 ( The properties of TaSi2 formed by Stuttering from the composite target )
조현춘
,
양희준
,
최진석
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1990.07
학술대회자료
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목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과및고찰
Ⅴ. 결론
참고문헌
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한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
-
불순물을 이온주입시킨 실리콘 기판위에 형성된 TaSi2의 특성 ( Characteristics of TaSi2 Formed on the Si Wafer Implanted Dopant Ions )
전자공학회논문지-A
1991 .04
-
Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구
한국재료학회지
1991 .01
-
불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
-
불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
전자공학회논문지-A
1991 .12
-
Controllability of Dopant Ion Number in Single Ion Implantation
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
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Improved Rs Monitoring for Robust Process Control of High Energy Well Implants
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2007 .01
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실리콘 웨이퍼 비저항에 따른 Dopant-Free Silicon Heterojunction 태양전지 특성 연구
한국표면공학회지
2018 .06
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PARAMETRIC STUDY ON THE SHEET RESISTANCE OF THE ION IMPLANTED SILICON WAFERS AFTER RAPID THERMAL ANNEALING
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1989 .01
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V형 공구를 이용한 Si-wafer의 기계적 가공 시 패턴각도 변화 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2014 .11
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전기로를 이용한 Si || SiO/SiN || Si 이종기판쌍의 직접접합
한국재료학회지
2002 .01
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The effect of annealing method on dopant-activation and damage-recovery in ion-shower-doped Poly-Si using $PH_3/H_2$
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2004 .01
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50 ㎛ 기판을 이용한 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 제조 및 특성 분석
한국재료학회지
2013 .01
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Dopant Activation and Damage Recovery of Ion Shower Doped Poly-Si According to Various Annealing Techniques
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2003 .01
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Poly-Si에 이온 지입된 dopants가 Ti-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of dopants introduced into the poly-Si on the formation of Ti-Silicides )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
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Dopant-Activation and Damage-Recovery of Ion-Shower-Doped Poly-Si through $PH_3/H_2$ after Furnace Annealing
Journal of information display
2004 .01
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2016 .04
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2013 .11
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