지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
등록된 정보가 없습니다.
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
플라즈마 CVD 방법에 의한 oxynitride막의 특성에 관한 고찰
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .07
PLASMA SILICON OXYNITRIDE 막의 DEPOSITION 조건에 따른 막의 구조적 특성 고찰 ( A Study on the Structure Characteristics of Plasma Silicon Oxynitride Film According to Deposition Condition )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
플라즈마 실리콘 OXYNITRIDE막의 구조적 특성에 관한 고찰
전기학회논문지
1992 .05
Laser CVD법에 의해 퇴적된 OXYNITRIDE막의 특성에 관한 고찰
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
레이저 CVD법에 의해 퇴적된 OXYNITRIDE막의 기판세정법에 따른 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
Characterization of the ultra thin films of silicon oxynitride deposited by plasma-assisted $N_2O$ oxidation for thin film transistors
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2006 .01
DEPOSITION OF A-SIC : H FILMS ON AN UNHEATED SI SUBSTRATE BY LOW FREQUENCY (50㎐) PLASMA Cvd
한국표면공학회지
1996 .12
N₂O 가스에서 열산화에 의해 형성된 oxynitride막의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .07
Characteristics of Silicon Oxynitride Barrier Films on Flexible Polymer Substrates
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
Oxynitride Films Deposition and Characteristics by Eximer Laser CVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
PECVD 법으로 증착된 silicon oxynitride 의 물성 분석
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
새로운 CVD 방법에 의하여 제작된 실리콘 박막의 특성 연구 ( Characterization of Silicon Thin Films Prepared by New CVD Technique )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
습식 산화한 LPCVD Silicon Nitride층의 물리적, 전기적 특성
한국재료학회지
1994 .01
LOW TEMPERATURE DEPOSITION OFSIOx FILMS BY PLASMA-ENHANCED CVD USING 100 ㎑ GENERATOR
한국표면공학회지
1996 .12
조성변화에 따른 PECVD SiON 박막의 물성특성
반도체및디스플레이장비학회지
2005 .01
Deposition of Plasma Polymerized Films on Silicon Substrates Using Plasma Assisted CVD Method For Low Dielectric Application
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2001 .06
CO₂ Laser-induced CVD법에 의한 Silicon 박막 및 p-n접합 Silicon제작
대한전기학회 학술대회 논문집
1989 .11
RP-CVD에 의한 비정질 실리콘 박막의 특성 ( Characterization of a-Si : H films deposited by a remote plasma CVD )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
Control of plasma CVD films containing group IV nanoparticles
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2013 .11
RTP로 $N_2$O 분위기에서 제조한 Oxynitride Gate 절연체의 물질적 전기적 특성
한국재료학회지
1992 .01
0