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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.12
- 수록면
- 1,632 - 1,639 (8page)
이용수
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Numerical calculation has been performed to investigate the transport phenomena in the horizontal reactor which has two different gas inlets for MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition) The full elliptic governing equations for continuity, momentum, energy and chemical species are solved by using the commercial code FLUENT It is investigated how thermal characteristics, reactor geometry, and the operating parameters affect flow fields, mass fraction of each reactants The numerical simulations demonstrate that flow rate of each species, inlet geometry of the reactor, and its distance from the susceptor as well as the inclination of upper wall of reactor can be used effectively to optimize reactor performance The commonly used idealized boundary conditions are also investigated to predict flow phenomena in the actual deposition system.
목차
Abstract
1. 서론
2. 해석방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 1991 / Flow Phenomena in Chemical Vapor Deposition of Thin Films 23 : 197 ~ 232
[학술지(정기간행물)] - / 2001 / Characterization of Energy Transport by Mass Diffusion Including an Application to Elliptic Channel Flow 44 : 753 ~ 761
[학술지(정기간행물)] - / 1970 / A Stagnant Layer Model for the Epitaxial Growth of Silicon from Silane in a Horizontal Reactor 117 (7) : 925 ~ 931
[학술지(정기간행물)] - / 1997 / Heat Transfer in Horizontal and Vertical CVD Reactor 9 (9) : 293 ~ 311
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / Optimization of Inlet Concentration for Uniform Film Growth in a Cylindrical CVD Chamber 22 (2) : 173 ~ 183
[학술지(정기간행물)] - / 2001 / Characterization of Energy Transport by Mass Diffusion Including an Application to Elliptic Channel Flow 44 : 753 ~ 761
[학술지(정기간행물)] - / 1970 / A Stagnant Layer Model for the Epitaxial Growth of Silicon from Silane in a Horizontal Reactor 117 (7) : 925 ~ 931
[학술지(정기간행물)] - / 1997 / Heat Transfer in Horizontal and Vertical CVD Reactor 9 (9) : 293 ~ 311
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / Optimization of Inlet Concentration for Uniform Film Growth in a Cylindrical CVD Chamber 22 (2) : 173 ~ 183
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