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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.6
- 수록면
- 334 - 341 (8page)
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The present study in a vertical thermal CVD(Chemical Vapor Deposition) reactor is concerned to thermal flow and deposition rates about the different rotational speeds of the deposited surface. The bifurcation phenomena for both rotation and buoyancy induced flows is investigated. The deposition rates are found to be increased along the radial direction for the buoyancy flow region, and they are more centered for the rotation-flow region where the large recirculation-flow is a dominant. In order to maintain the uniformity and efficient deposition rates of the CVD reactor, it is found that the inlet velocity, the distance between the reactor wall and susceptor, and the inlet height from the deposition surface play their roles and are quantitatively computed. The numerical simulation have been carried out by the commercially available CFD code "Fluent" whose application of this study is proven by being compared with the previous reported paper for the sample case.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 이론
3. 수치적 절차
4. 수치 실험 결과 및 고찰
5. 결론
참고문헌
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