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대한설비공학회 대한설비공학회 학술발표대회논문집 대한설비공학회 1999년도 하계학술발표회 논문집(Ⅰ)
발행연도
1999.6
수록면
300 - 305 (6page)

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A numerical study using general coordinate system is performed for the three dimensional mixed convection, mass transfer process in the horizontal CVD reactor. From this, epitaxial growth of gallium arsenide from trimethyl-gallium and arsine in hydrogen as carrier gas at atmospheric pressure is investigated. The physical domain for the CVD reactor has an irregular region, the Cartesian coordinates are transformed into a general curvilinear coordinate system. For calculating the governing equations, SIMPLE-algorithm is extended and modified to employ the curvilinear system. From the above modelings, the effects of Rayleigh number, inclined angle of susceptor and thermal boundary conditions on the thermo-flow field and the distribution of the growth rate of the film are investigated numerically.

목차

ABSTRACT

1. 서론

2. 이론적 연구

3. 수치해석

4. 결과 및 고찰

5. 결론

후기

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