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저자정보
김진택 (전북대학교) 백병준 (전북대학교) 박복춘 (전북대학교) Cheul Ro Lee
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2004년도 추계 학술대회 강연 및 발표 논문집
발행연도
2004.10
수록면
75 - 82 (8page)

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Numerical calculation has been performed to investigate the transport phenomena in the horizontal reactor which has two different gas inlets for MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition). The full elliptic governing equations for continuity, momentum, energy and chemical species are solved by using the commercial code FLUENT. It is investigated how thermal characteristics, reactor geometry, and the operating parameters affect flow fields, mass fraction of each reactants. The numerical simulations demonstrate that flow rate of each species, inlet geometry of the reactor, and its distance from the susceptor as well as the inclination of upper wall of reactor can be used effectively to optimize reactor performance. The commonly used idealized boundary conditions are also investigated to predict flow phenomena in the actual deposition system.

목차

Abstract
1. 서론
2. 해석방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
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