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논문 기본 정보

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저자정보
김진택 (전북대학교) 백병준 (전북대학교) 박복춘 (전북대학교) Cheul Ro Lee
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2004년도 추계 학술대회 강연 및 발표 논문집
발행연도
2004.10
수록면
75 - 82 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2004

고품질 질화물 반도체 박막 성장을 위한 반응로 구조 및 열적 조건에 관한 연구
김진택 ,  백병준 ,  이철로 외 1명 대한기계학회 논문집 B권 2004.12 학술저널
고품질 질화물 반도체 박막 성장을 위한 반응로 구조 및 열적 조건에 관한 연구
김진택 ,  백병준 ,  박복춘 외 1명 대한기계학회 춘추학술대회 2004.10 학술대회자료

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Numerical calculation has been performed to investigate the transport phenomena in the horizontal reactor which has two different gas inlets for MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition). The full elliptic governing equations for continuity, momentum, energy and chemical species are solved by using the commercial code FLUENT. It is investigated how thermal characteristics, reactor geometry, and the operating parameters affect flow fields, mass fraction of each reactants. The numerical simulations demonstrate that flow rate of each species, inlet geometry of the reactor, and its distance from the susceptor as well as the inclination of upper wall of reactor can be used effectively to optimize reactor performance. The commonly used idealized boundary conditions are also investigated to predict flow phenomena in the actual deposition system.
#MOCVD(유기금속 화학증착법) #GaN(질화칼륨) #Deposition Rate(증착율) #Horizontal Reactor(수평반응로) #Susceptor(반응부) #Thin Film(박막)

목차

Abstract
1. 서론
2. 해석방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌

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