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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1995.2
- 수록면
- 57 - 58 (2page)
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극소전자 디바이스의 고집적화에 의해 박막배선의 선폭은 0.5㎛ 이하로 축소되고 있고 상대적으로 높은 전류밀도가 흐르게 된다. 높은 전류밀도하에서는 현재 일반적으로 사용되고있는 Al을 기본으로하는 박막배선에서의 electromigration에 의한 결함 발생 그리고 비교적 낮은 전기전도도가 심각한 문제점으로 제기된다.
본 연구에서는 Al과 고전기전도도 물질인 Ag, Cu, 그리고 Au 박막배선에 대해 electromigration에 대한 저항성, 즉 activation energy를 측정 비교함으로써 차세대 극소전자 디바이스를 위한 박막 배선재료로서의 가능성을 알아보고자 한다.
Electromigration test 및 activation energy를 구하기 위해 순사 Ag, Cu, Al, Au 박막배선을 0.05㎛ 두께, 100㎛ 선폭, 그리고 5000㎛ ... 전체 초록 보기
본 연구에서는 Al과 고전기전도도 물질인 Ag, Cu, 그리고 Au 박막배선에 대해 electromigration에 대한 저항성, 즉 activation energy를 측정 비교함으로써 차세대 극소전자 디바이스를 위한 박막 배선재료로서의 가능성을 알아보고자 한다.
Electromigration test 및 activation energy를 구하기 위해 순사 Ag, Cu, Al, Au 박막배선을 0.05㎛ 두께, 100㎛ 선폭, 그리고 5000㎛ ... 전체 초록 보기
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