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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1995.6
- 수록면
- 48 - 49 (2page)
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전자소자의 축소화에 따라 eleetromigration은 점차 반도체 디바이스의 주요 결함 원인으로 부각되고 있다. 본 실험은 현재 배선 재료로 널리 사용되고 있는 Al-1%Si 금속박막배선의 eleetromigration에 대한 온도 및 배선길이 의존성에 관하여 연구하였다.
PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier) package된 PSG(8000 Å)/SiO₂(l000 Å)/Al-1%Si(7000 Å)/SiO₂(5000 Å)/p-type Si(100)의 보호막처리된 시편과 Al-1%Si/SiO₂(5000 Å)/p-type Si (100)의 보호막처리되지 않은 시편등을 standard photolithography 공 ... 전체 초록 보기
PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier) package된 PSG(8000 Å)/SiO₂(l000 Å)/Al-1%Si(7000 Å)/SiO₂(5000 Å)/p-type Si(100)의 보호막처리된 시편과 Al-1%Si/SiO₂(5000 Å)/p-type Si (100)의 보호막처리되지 않은 시편등을 standard photolithography 공 ... 전체 초록 보기
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